Introduccion A Los Ensayos De Ciruela

Entrevista de hombres destacados

La labor principal del cálculo eléctrico es la definición de las potencias dispersadas y las tensiones de trabajo sobre los revestimientos de los condensadores. Como resultado del cálculo eran recibidos los significados reales de las potencias y las tensiones, que son los datos iniciales para el cálculo de las dimensiones geométricas de los elementos.

El microesquema del reforzamiento de la frecuencia intermedia () A 2372 puede ser fabricado por las tecnologías con la aplicación de los elementos de cuelga. La construcción del microesquema se cumple por el método libre las máscaras, además cada capa las estructuras es puesta a través del patrón especial. En la superficie del substrato son formados pelicular, los condensadores, también las plazoletas de contacto y las uniones. La tecnología pelicular no preve la fabricación de los transistores, por eso los transistores son cumplidos en forma de los elementos de cuelga pegados al substrato del microesquema. Las conclusiones de los transistores se suelden a las plazoletas correspondientes de contacto.

Sobre esto el cálculo del segundo grupo es acabado. Todo han resultado directo y no construido. A consecuencia de esto las dimensiones son mínimas que permitirá disponer ellos sobre el substrato es compacto y con el grado más grande de la integración.

Vemos que la desigualdad se cumple, por consiguiente estos se cumplen de un material. Para que sean escogeremos lo más pequeño posible el material con como es posible por la resistencia grande específica superficial (). Elegiremos el material "el CERMET". Este material posee las características siguientes:

Vemos que la desigualdad no se cumple, significa todo estos fabricar de un material es imposible. Que todos nosotros podamos fabricar, es necesario romperlos en dos grupos y para cada grupo escoger el material.

Vemos que la desigualdad se cumple, por consiguiente estos se cumplen de un material. Para que sean escogeremos lo más pequeño posible el material con como es posible por la resistencia grande específica superficial (). Elegiremos el material “-3”. Este material posee las características siguientes:

Habiendo quitado innecesario más de máscara, a la superficie ponen la película continua protectora (por ejemplo, SiO y en la tercera vez crean la máscara, abriendo las partes del revestimiento protector sobre las plazoletas de contacto. Habiendo mordentado el revestimiento protector en estos lugares y habiendo quitado la máscara, reciben el pago con los elementos peliculares y las plazoletas abiertas de contacto.

Si el coeficiente de la forma es más pequeño 10, que la recta, y si más de diez, es fabricado en forma del meandro. La preferencia se da directo. En este caso es fabricado a las rectas.

Sobre esto el cálculo del primer grupo es acabado. Todo han resultado directo y no construido. Gracias a esto las dimensiones son mínimas que permitirá disponer ellos sobre el substrato es compacto y con el grado más grande de la integración.

Para la formación difícil de la exactitud grande aplican la fotolitografía, a que las películas continuas de los materiales ponen al substrato, crean en su superficie protector la máscara y exterminan las partes no protegidas de la película. Hay algunas variedades de este método. Por ejemplo, de la fotolitografía directa al principio al substrato dieléctrico ponen la película continua del material y crean protector la máscara, que envenenan la capa. Luego esta la máscara quitan y ponen de arriba la película continua del metal (por ejemplo, el aluminio). Después de la creación segundo de la máscara y la corrosión del aluminio no protegido en la superficie del substrato hay recibido antes, también unos conductores formados y las plazoletas de contacto cerradas por la máscara.